本报讯（记者吕扬）近日，记者从西安电子科技大学获悉，郝跃院士团队在硅基纳米阵列中如何高效率地产生二次谐波技术方面取得了突破性进展，其研究被国际光学顶级期刊《激光与光子学评论》报道。
硅是开发先进光子和光电子器件最有前途的材料之一，但其具有显著的三阶非线性光学响应特征，而在非线性光学中，二阶非线性元件的磁化率比三阶非线性元件高10个数量级，在非线性光子器件中具有更高的应用价值。
西安电子科技大学郝跃团队的刘艳教授联合西北工业大学理学院甘雪涛教授提出了一种硅基开槽纳米立方体阵列的设计，使得具有中心对称的硅显著实现二次谐波。据介绍，他们的设计通过扩大表面二阶非线性，增强了凹槽表面的电场，连续域中的束缚态使得共振得到增强，与没有凹槽的硅纳米立方体阵列相比，有槽纳米立方体阵列的倍增率提高了两个数量级以上。
在这项工作中，他们证明了通过制造开槽纳米立方体阵列可以极大地改善硅的表面二阶非线性，从而有效产生二次谐波。
相关专家认为，该项研究结果不仅推动了硅材料在非线性领域的进一步发展，同时为在晶格结构中心对称材料中研究高效的二阶非线性效应和器件提供了一种新策略。
